Die erste Möglichkeit besteht in der Abscheidung völlig neuer Schichten. Hier ist das kubische Bornitrid (c-BN) mit seinen überragenden Materialeigenschaften zur Zeit eines der interessantesten Materialien. Schon die Erzeugung des c-BN in Form von Schichten mittels Gasphasenabscheidung erfordert einen gezielten Ionenbeschuss der aufwachsenden Schicht, ohne den nicht die kubische Phase, sondern lediglich amorphe oder hexagonale Strukturen aufwachsen.
Die Erzeugung von c-BN-Schichten, die auf den Substraten auch noch eine gute Haftfestigkeit aufweisen, ist in diesem Zusammenhang eine weitere Herausforderung, die z.B. mit unterschiedlichen Zwischenschichten erreicht werden kann.








